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扇形場質譜儀應用說明
檢測氦氣的扇形場質譜儀現在集成在具有自動控制真空系統的泄漏檢測儀里。因此,操作者不必擔心質譜儀的功能能力。我們提請您注意內表面的清潔對保持高檢測靈敏度的重要性。■當有散射離子撞擊時,沉積物可以導致局...
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四級桿質量過濾器原理
四極桿質譜儀的過濾系統包括四個平行排列成正方形的桿。Figure6.5中指定了(+)或(-)的每對相反桿彼此連接在一起。在兩對桿之間,施加由直流部分U和振幅為V、頻率為的交流部分組成的電壓:公式6-5:四級桿偏轉電壓在這...
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四極桿質譜儀(QMS)離子源原理
在氣體可在質量過濾器中進行分析之前,它們s*先必須在離子源中通過電子撞擊進行電離(圖6.6)。電子從電加熱的陰極(金屬絲)中發射出來。在陽極和陰極之間施加電壓,從而使電子加速。存在于陽極和陰極之間形成空間里的...
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軸向離子源概念
所有離子源的共同特點是它們可以連接至高達150V的電勢。這避免了因EID離子導致的信號背景,(EID=電子碰撞解吸,也稱為:ESD=電子誘導脫附)。軸向離子源該離子源的特點是其極其堅固的機械設計和高靈敏度。由于其開放...
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網格離子源原理
離子源用于檢查UHV或者甚至XHV應用中的殘余氣體。其極其開放的結構和材料的選擇確保了非常低的內部氣體排放。該離子源配備了兩個可同時加熱脫氣的鎢絲。如果在低于10-11hPa的壓力下執行工作,特別是為此目的,應使...
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交叉束離子概念
交叉束離子源(Figure6.11)允許垂直和平行于系統軸的分子束直接通行。系統使用預先選定的能量(0–120eV)從左側或右側金屬絲(1)將電子發射到形成區域(3)。金屬絲電勢處的維納爾圓柱電極(4)能夠防止電子散射到...
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氣密離子源原理
一些上述離子源也可用在氣密版本中。如果只提供少量的樣氣或如果殘余氣體產生的信號背景需要有效地被抑制,則使用氣密離子源。在這種結構中,進氣系統(如加熱毛細管)和離子源必須相互匹配。通過離子源的電導率,流入...
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濺射工藝監控器(SPM)與標準的PrismaPlus離子源概念
濺射工藝監控器(SPM)離子源在該離子源中,形成區域(7)與工藝室直接相連。分析儀配備了小型分子泵站(1),該泵站也將陰極空間(5)抽空至大約10-5hPa。電子通過小孔從低壓側射入形成區域(7),以便電離氣體。由此形成的離...
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四極桿質譜儀探測器—二次電子倍增器(SEM)優缺點
如果要測量極其小的離子電流或需要極其高的測量速度,則使用物理前置放大器,即所謂的二次電子倍增器。圖6.16:二次電子倍增器(SEM)二次電子倍增器(SEM)Figure6.16顯示了此類倍增器(SEM=二次電子倍增器)的典型結構。...
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真空泵油是什么
真空泵油是一種潤滑油,真空泵油有分礦物油和合成油兩種,真空泵油是為真空設備上的真空泵所設計生產的特種潤滑油。性能特征一、真空泵油具有極佳的氧化穩定性,長期在高溫條件下與空氣、樹脂、化學原料等直接接觸亦...
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四極桿質譜儀探測器—連續二次電子倍增器原理
C-SEM(Figure6.17)由內部涂有導電層的玻璃管組成,該導電層具有高電阻和低功函數。給該導電層施加高壓,以使整個管長度獲得均勻電壓梯度。四級桿系統的離子按確定路徑被發送到轉換倍增器電極,并產生觸發管內電子雪...
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四極桿質譜儀探測器—真空系統
離子必須能夠穿過四級桿過濾器,而不與中性氣體粒子碰撞。在壓力p<10-4hPa時獲得的平均路徑長度是操作四級桿質譜儀所必需的。這需要具有壓力監測功能的合適泵站。為進行具有z*佳靈敏度的氣體分析,不僅低底壓是必要...
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四極桿質譜儀探測器—進氣系統簡介
待分析的氣體通常必須從大氣氣壓下降到低于質譜儀(MS)工作壓力的壓力。由質譜儀監測的許多真空技術工藝發生在p>10-4hPa的壓力范圍內。因此,四級桿質譜儀的基本要素是根據特殊的應用配備合適的進氣系統。可使用各...
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四極桿質譜儀探測器產品組合概覽
普發真空提供兩種基本的質譜儀型號:■緊湊型PrismaPlus,具有6mm直徑的桿系統,長度為100mm。■高分辨率HiQuad,質量過濾器直徑為8mm和16mm,長度為300mm。PrismaPlus這是一個緊湊型設備,其整個電子裝置被連接到分析...
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四極桿質譜儀探測器模塊
模塊是特殊的過程監控或氣體分析設備,其配備了各種進氣系統并連接到用于排空分析儀的空運行渦輪拖式泵站:■HPA220高壓分析儀,基于PrismaPlus。過程壓力可達50hPa,提供手動和自動進氣系統■SPM220濺射工藝監控器,...
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