濺射工藝監控器 (SPM)

 離子源在該離子源中，形成區域 (7) 與工藝室直接相連。分析儀配備了小型分子泵站 (1)，該泵站也將陰極空間 (5) 抽空至大約10-5 hPa。電子通過小孔從低壓側射入形成區域 (7)，以便電離氣體。由此形成的離子通過低壓側的小開口被萃取到質量過濾器。該離子源為濺射工藝中檢查氣體組成提供兩個關鍵優勢。一方面，分析在高達三個數量級以上的離子源壓力下進行；即：真空室中可以承受較高的工藝壓力。另一方面，熱金屬絲不與濺射工藝直接接觸。這避免了熱陰極在敏感工藝中造成的污染。

標準的 PrismaPlus 離子源

 

這里描述的所有離子源均通過電子碰撞方式進行電離。
離子源可分為兩類：
■ 如果待分析氣體所處的高真空 < 1 · 10-4 hPa 時，則使用開放式離子源。
■ 封閉式離子源用作分析應用中，例如，在只提供少量樣氣或減少質譜儀真空系統的背景影響時。
封閉式離子源與差動排氣系統（Figure 6.13）結合使用，以便分析壓力較高的氣體。

普發真空的 PrismaPlus 質譜儀配備了這一功能強大、高度靈敏的離子源。它是一種特別適合于殘余氣體分析的離子源。它的設計類似于網格離子源，具有兩個陰極，從而保證了操作的可靠性。可同時提供開放式版本和氣密性版本，氣密性版本的進氣口在軸向方向。