灰塵是小尺寸器件集成電路生產的天敵。在開發集成電路的過程中，已經開發了有效的方法來消除生產環境中的灰塵。

如有尺寸與電路結構元件相當的灰塵顆粒（臨界尺寸，CD）或更大的灰塵顆粒意外進入設備中，會引發很多問題。22nm 的硅結構只包括 41 個 Si 原子。根據這一標準，不僅顆粒構成了挑戰，甚至分子造成的污染也成為越來越大的挑戰。這些污染被稱為空氣分子污染 (AMC)。從開放式盒子到封閉式 FOUP 的轉變大大降低了顆粒的污染，但同時也增加了 AMC 影響。

圖 8.3：硅類金剛石的晶體結構

        晶圓表面上的來自環境空氣、從周圍表面釋放的或來自之上一道工藝步驟的分子可以與大氣中的氣體反應，形成微小的反應產物群，這在晶圓等待下一道工藝步驟的等待時間內有增加的趨勢。分子污染的核心通常是半導體制造中所使用的很多化合物。國際半導體技術藍圖 (ITRS) 已經確立了會引起晶圓缺陷的 AMC 名單 [36]。該名單包括無機和有機酸、堿、硫化合物和揮發性有機化合物，詳情參見圖 8.4。

圖 8.4：空氣分子污染 AMC 的分類

       在 FOUP 內部環境中，AMC 有兩個主要來源。z*主要來源是每個工藝步驟后存儲在 FOUP 中的晶圓。z*后一道工序中的副產物從其表面釋放并可以被 FOUP 的高分子材料吸收或重新吸附在其他晶圓表面上。第二來源是 FOUP 的出氣，出氣來源于聚合物主體或其他晶圓和/或其他工藝先前吸附的副產物。由于聚合物具有吸附氣體的高能力，所以 FOUP 具有其已攜帶晶圓的“記憶”。與這些 AMC 來源相比，良好控制的潔凈室內的空氣污染可以忽略不計。

圖 8.5：FOUP 中的 AMC 來源