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激光微加工技術用于半導體納米芯片
發布時間:2019-04-15 12:29:02 | 人感興趣 | 評分:3 | 收藏:

  越來越小,越來越快!幾十年來,小型化和更高的時鐘頻率成為半導體制造的主要趨勢,但機械方式卻在逐漸達到極限,所以嶄新的激光時代出現了。

  全世界都在渴望獲取更多的微芯,并期望它們更小、更快、更便宜。1965年,英特爾聯合創始人戈登˙摩爾(GordonMoore)對半導體產業大膽預測:一個芯片上的晶體管數量大約每18個月就會翻一倍。此后,業界為爭取每平方納米,付出了幾十億美元的巨大努力。一個現代智能手機CPU中的晶體管和流感病毒的大小接近,相信很快會和病毒一樣大小。甚至于再過多久,病毒會見到晶體管會打趣地想:“這些面包屑是哪來的?”可實際上晶體管究竟可以再小到什么程度?極具創新的半導體產業如是給出的答案是肯定的:非常非常小。因此,我們需要更多的激光!

  根據阿貝分辨率限制,光源不能使小于其波長的結構成像。同時,科學家們發現,這個規則可以被擴展。當前的光刻系統以波長為193納米的光工作,雖然他們使用了一些巧妙的技術來實現小至22納米的膠片尺寸,但不得不承認,目前我們使用的光源已經達到極限。為了在芯片的最底層創造最小的膠片,半導體行業中的主要成員創立了EUV光刻技術項目。該項目已被啟動并且已經運行超過15年的時間。他們的目標是開發一個波長為13.5納米的極紫外光源。

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